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CRF plasma 等離子清洗機

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等離子處理機的刻蝕工藝改變氮化硅層的形態原理

等離子處理機的刻蝕工藝改變氮化硅層的形態原理:
    crf等離子處理機可實現清洗、活化、蝕刻和表面涂層等功能,依據需要處理的材料不同,可達到不同的處理效果。半導體工業中使用的等離子處理機主要有等離子蝕刻、顯影、去膠、封裝等。在半導體集成電路中,真空等離子體清洗機的刻蝕工藝,既能刻蝕表面層的光刻膠,又能刻蝕底層的氮化硅層,通過調整部分參數,就可以形成一定的氮化硅層形貌,即側壁的蝕刻傾斜度。

等離子處理機

   1、氮化硅材的特性:
    氮化硅酸鹽是一種新型的炙手可熱的材料,它具有密度小、硬度大、高彈性模量和熱穩定性好等優點,在許多領域得到了廣泛應用。氮化硅可以代替氧化硅在晶圓制造中使用,因為它的硬度高,可以在晶圓表面形成非常薄的氮化硅薄膜(在硅片制造中,常用的描述薄膜厚度的單位是埃),厚度大約在幾十埃左右,可以保護表面,避免劃傷,另外它突出的絕緣強度和抗氧化能力也能很好地達到隔離效果。它的不足之處是流動性不如氧化物,刻蝕困難,采用等離子處理機技術可以克服刻蝕困難。
    2、等離子處理機原理及應用:
等離子體腐蝕是通過化學或物理作用,或物理與化學的聯合作用來實現的。反應室內氣體的輝光放電,包括離子、電子和游離基等活性物質的等離子體,通過擴散作用在介質表面吸附,并與其表面原子進行化學反應,形成揮發性物質。在一定壓力下,高能量離子還對介質表面進行物理轟擊和腐蝕,以去除再沉積反應產物和聚合物。使用物理化學的聯合作用,完成對介質層的蝕刻。

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