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palsma處理設備為您晶圓硅片光刻膠去除實例：
表面palsma處理設備等離子體去膠法，其原理是以干palsma處理設備去膠法為主要的蝕刻性氣體。該裝置利用高頻和高壓的能量，在真空等離子體去膠反應室內電離生成氧離子和游離氧原子。
O分子和電子等混合的等離子體，其中游離態氧原子具有較強的氧化能力(約10-20%)，在高頻電壓下與晶圓光刻膠膜發生反應：O2→O*+O*,CxHy+O*→CO2↑+H2O↑。合成的CO2和H2O，反應后，立即被抽出。palsma處理設備等離子體去膠的優點是去膠操作簡單，去膠效率高，表面清潔光潔，無劃痕，成本低，環保。
crf誠峰智造表面等離子處理設備等離子體去膠采用性能優良的部件和軟件，可以輕易控制工藝參數，其過程監測和數據采集軟件可以實現嚴格的質量控制，此技術已獲得成功。適用于功率晶體管，模擬器件，傳感器，光學器件，光電器件，電子器件，MOEMS，生物器件，LED等領域。
上述發現，硅片在未經處理之前，表面殘留了大量的光刻膠，經CRF誠峰智造表面palsma處理設備等離子去膠處理后，表面光刻膠全部去除，效果很好。
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