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CRF plasma 等離子清洗機

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crf電漿清洗機處置以后ITO外表粗糙度提升

crf電漿清洗機處置以后ITO外表粗糙度提升:
        現階段處置ITO的方式主要是分成物理方法和化學方式2種。主要是CRF電漿清洗機處置和打磨拋光,化學方式主要包含酸堿處置、氧化物質處置及其在ITO表層提升有機質和無機物。

電漿清洗機

        CRF電漿清洗機處置被指出是最有效的處理方式。ITO的表層功函數與元件中的空穴傳輸層NPB的最高電子具有軌道(HOMO)之間存有較高的勢壘,致使元件的特性低。
        TTO表層的氧含量將直接影響ITO的功函數,氧含量提升將致使ITO費米能級的減低,功函數的增高。ITO經相混電漿清洗機處置后,表層形貌會出現明顯轉變。
未經處理的ITO表面形態和等離子體處理的ITO表面形態分析發現,ITO表面的平均粗糙度和峰谷距離明顯降低,表面顆粒半徑也大大降低。ITO與有機質層的接觸面增大,有利于氧原子的附著。電漿清洗機處置能更好地改善ITO表層形貌,與此同時可以看到ITO表層氧空洞明顯增多,表層富集了1層帶負電的氧,形成界面偶極層,提升了ITO表層功函數,使得ITO的空穴注人能力大大增強。
        此外,電漿清洗機處置以后ITO外表粗糙度減少,ITO膜與NPB之間的界面能減少,空穴注人變得容易,與由陰極注人的電子更好的復合產生激子,電漿清洗機處置后的陽極制備的元件亮度高,質量好。


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