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CRF plasma 等離子清洗機

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大氣等離子電源

CRF-APO-R&D-DXX

可選配多種類型等離子噴槍和噴嘴,使用于不同場合,滿足各種不同產品和處理環境;

設備尺寸小巧,方便攜帶和移動,節省客戶使用空間;

可In-Line式安裝于客戶設備產線中,減少客戶投入成本;

使用壽命長,保養維修成本低,便于客戶成本控制。

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設備詳細數據

名稱 噴射型AP等離子處理系統
等離子電源型號 CRF-APO-R&D-DXX
直噴式等離子噴槍型號 直噴式:DXXOption:2mm-6mm
電源 220V/AC,50/60Hz
功率 1000W/25KHz(Option
功率因素 0.8
處理高度 5-15mm
處理寬幅 直噴式:1-6mmOption
內部控制模式
數字控制
外部控制模式
啟停I/O
工作氣體
Compressed Air (0.4mpa)/N2(0.2mpa)
電源重量
8kg

等離子清洗設備可根據污染物的類型采用不同的清洗方法
等離子清洗是通過化學和物理作用從分子層(一般厚度為3~30nm)中去除污染物,提高工件表面活性的技術。所去除的污染物可能是有機物,環氧樹脂,光刻膠,氧化物,微粒污染物等。電漿處理可以根據污染物的類型采用不同的清洗方法。
1、灰化表面有機層
污染物在真空和瞬時高溫下蒸發,被高能離子粉碎,從真空中排出。
UV輻射破壞污染物,等離子處理每秒只能穿透幾納米,所以污染層不厚。指紋也適用。
2、氧化物去除
這一過程包括使用氫氣或氫氣和氬氣的混合物。有時也可以采用兩步法。首先把表面氧化5分鐘,然后用氫氣,氬氣的混合物去除氧化。各種氣體也可同時進行處理。
3、焊接
一般情況下,印刷電路板焊接前應使用化學藥劑。這些化學物質必須在焊接后用等離子法去除,否則會導致腐蝕等問題。
等離子清洗設備的原理是:真空狀態下,壓強減小,分子間的距離增大,分子間的作用力減小,利用射頻源產生的高壓交變電場,將氧氣、氬、氫等技術氣體沖洗成反應活性高、能量大的離子,與有機污染物和微粒體污染物反應或碰撞形成揮發性物質,工作氣流和真空泵去除揮發性物質,實現表面清潔活化。它是一種徹底的剝離清洗方法,具有清洗后無廢液、金屬、半導體、氧化物和大多數聚合物材料處理良好、整體、局部和復雜結構清洗的優點。
等離子清洗是通過化學或物理作用對工件表面進行處理,實現分子水平的污染物去除(一般厚度為3~30nm),從而提高工件表面活性。被清除的污染物可能為有機物、環氧樹脂、光刻膠、氧化物、微顆粒污染物等。對應不同的污染物,應采用不同的清洗工藝,在這種情況下,等離子處理可以產生以下效果:
1、灰化表面有機層
污染物在真空和瞬時高溫下的部分蒸發,污染物被高能離子粉碎并被真空帶走。
紫外輻射破壞污染物,由于等離子體處理每秒鐘只能穿透幾納米,所以污染層不應該太厚。指紋也適用。
2、氧化物去除
這種處理包括使用氫或氫和氬的混合物。有時也采用兩步流程。第一步是用氧氣氧化表面5分鐘,第二步是用氫和氬的混合物除去氧化層。它也可以同時用幾種氣體處理。
3、焊接
通常,印刷電路板應在焊接前用化學藥劑處理。焊接后,這些化學物質必須用等離子體法去除,否則會引起腐蝕和其他問題。
等離子清洗設備的原理是在真空狀態下,壓力越來越小,分子間間距越來越大,分子間力越來越小,利用射頻源產生的高壓交變電場將氧、氬、氫等工藝氣體震蕩成具有高反應活性或高能量的離子,然后與有機污染物及微顆粒污染物反應或碰撞形成揮發性物質,然后由工作氣體流及真空泵將這些揮發性物質清除出去,從而達到表面清潔活化的目的。是清洗方法中徹底的剝離式清洗,其優勢在于清洗后無廢液,特點是對金屬、半導體、氧化物和大多數高分子材料等都能很好地處理,可實現整體和局部以及復雜結構的清洗。

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